高压瓷片电容CT81-2KV-Y5U-472M

新时代发展到现在，越来越多的新事物出现，我们从最初不认识到慢慢熟知新事物的转变过程中，往往会忽略最初，这种新事物是如何而来，那么今天就让瓷谷电子小编我，好好带大家重新了解一下“瓷片电容技术参数”，深入了解和探究一些，鲜少为人所知道的事情！

瓷片电容技术参数的发展历程：

1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ；

30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容 ；

1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。

1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点。

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容 相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容 到大型的功率瓷片电容。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容 ；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容 ；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。

瓷片电容的分类：

瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数。

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠ ceramic capacitor），过去称高频瓷片电容技术参数 （High-freqency ceramic capacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容 。它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。

Ⅱ类瓷片电容技术参数（Class Ⅱ ceramic capacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数 （Low frequency cermic capacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容 ，因此也称铁电瓷片电容技术参数 。这类电容 的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有： X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U

其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；

X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；

Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%。

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%。