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高压瓷片电容CT81-3KV-Y5U-182M

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产品用途及特点:

用于高压旁路和耦合电路中,耐直流高压与较低的介质损耗等特点。

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CT81-3KV-Y5U-182M
  • 【所属分类】CT81电容
  • 【本体高度】9mm
  • 【电容量】1800pF
  • 【本体厚度】3.8mm
  • 【容量编号】182M
  • 【本体宽度】11.5mm
  • 【主要材料】Y5U
  • 【额定电压】3KVDC
  • 【引线间距】7.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】M(±20%)
  • 【引线直径】0.55mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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电子是科技发展上不可缺少的元器件,今天小编要跟大家谈谈瓷介电容。瓷介电容电容量老化的问题以及它的老化规律,相信大家都十分的关注。一起跟小编来了解一下这方面的内容吧!


瓷介电容器所采用的大多数2类陶瓷介质,都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性。介质在这个温度以上具有高度对称的立方晶体结构,而低于居里温度时,立方晶体结构的对称性就降低。即使在单晶体内这种状态的转变也是很明显的。在实际陶瓷中通常陶瓷中通常被扩大到一个有限的温度范围之内,但在所有的情况下,它是电容量/温度曲线上的某一个峰值。


在热波动的影响下,介质冷却至居里温度之后的很长一段时间内,晶体点阵中的离子会连续运动到势能较小的位置,这就引起了电容量老化现象。从此瓷介电容器的电容量不断的减小。


如果将电容器加热至高于居里温度的某一温度,则就会起到消除老化的作用,即通过老化而使电容量减少的部分恢复,而在电容器再次冷却时,会重新开始老化。


瓷介电容电容量的老化规律


从冷却至居里温度之后的第1小时内,电容量的减少是不好确定的。但从这时间之后它按对常规律减少(见K,Wplessner,phys.soc.vol.69B,p1261,1956),这个规律可用一个老化常数表示。


老化常数K用介质老化的过程中引起的电容量减少的百分比来表示。其介质的老化过程是以“十倍”的变化方式进行的,即使在某一个时间内,例如1h到10h,瓷介电容器的老化增加十倍。由于电容量减少的规律承对数的,在1h到100h之间老化,则电容量减少的百分比将是在2K,在1h到1000h之间老化是3K。


看完本文内容相信大家对瓷介电容电容量老化和规律有所了解。

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