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薄膜电容CL21-400V-473J

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产品用途及特点:

适用于旁路、隔直和耦合、滤波,低脉冲线路,无感结果容量范围宽,体积小,自愈的性能好,寿命长等特点。

● 符合RoHS指令

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CL21-400V-473J
  • 【所属分类】CL21薄膜电容
  • 【本体高度】13mm
  • 【电容量】0.047μF
  • 【本体厚度】11mm
  • 【容量编号】473
  • 【本体宽度】8mm
  • 【主要材料】金属化聚乙脂
  • 【额定电压】400VDC
  • 【引线间距】10mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】J(±5%)
  • 【引线直径】0.6mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
如需了解其它参数请通过右侧电话或者微信 QQ咨询

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推荐阅读 / Product Details


之前小编有跟大家说过薄膜电容器的损耗与温度,湿度的关系。而今天小编要说的是薄膜电容器的损耗与频率的关系。薄膜电容器在使用过程中会存在损耗,而损耗的大小受到很多因素的影响。一起来了解一下吧!

所谓的损耗是指电容器在电场的作用下,电容器因为发热而损失掉的能量。而薄膜电容器的损耗与频率关系要说到薄膜电容器的介质极性。所谓的薄膜电容器介质的极性,是指电容器介质的分子中原子吸引电子的能力不同,使得分子内不同的原子显示不同的电性。如果介质分子内电荷中心重合的话,则电容器介质就是非极性的,如果不中心重合,电容器介质则是极性的。


如果薄膜电容器的介质是极性的,那么电容器在低频和中频的范围内,薄膜电容器的损耗主要由介质决定的,高频范围内的损耗主要由金属部分引起的。如果薄膜电容器使用的介质时非极性的,那么在低频范围内薄膜电容器的损耗主要是介质的电导损耗所造成的,在高频则主要是金属部分造成的。

看完这方面的内同,相信大家都了解清楚薄膜电容器的损耗与频率的关系。

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