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高压瓷片电容CC81-3KV-UJ-150K

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产品用途及特点:

适用于调谐回路、需要补偿温度效应的电路中,电容量随温度改变呈线性变化等特点。

● 符合RoHS指令

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CC81-3KV-UJ-150K
  • 【所属分类】CC81电容
  • 【本体高度】6.5mm
  • 【电容量】15pF
  • 【本体厚度】3mm
  • 【容量编号】150K
  • 【本体宽度】9mm
  • 【主要材料】UJ
  • 【额定电压】3KVDC
  • 【引线间距】5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】K(±10%)
  • 【引线直径】0.55mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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相信我们经常在使用陶瓷电容遇到失效或损坏的,使用时间不长到底是什么原因导致的呢?那么小编将跟大家来探讨这个问题。


当空气的湿度变高时,水膜凝结到电容器的外壳外面,使电容器的表面绝缘电阻降低。另外,对于半封闭结构的电容器来说,水分还可能渗到电容器介质的内部,使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力降低。所以,高温和高潮湿的环境下对电容器参数恶化的影响是非常显著的。经过烘干潮湿的电容器的电性能可已获得改善,但是水分子电解后果是无法根治的。所以,电容器的工作在高温的条件下,水分子在电场作用下电解为氢离子和氢氧根离子,引起根部产生了电化学腐蚀。即使烘干了电容器,也不可能使引线复原了。


半密封的瓷片电容在高湿度和温度环境条件下工作时,可能会发生击穿失效的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为当介质击穿时表面极间飞弧击穿。介质击穿按发生时间又分为早期击穿与老化击穿这两种,早期击穿暴露了电容中的材料与生产工艺方面存在缺陷,这些缺陷导致瓷片介质介的电强度明显降低,以至于在高湿度环境的电场作用下,电容器在耐压试验过程中或工作初期,就产生了电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于瓷片电容器的迁移,瓷片电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移的形成了导电树枝的状物,使漏电流局部增大,可引起热击穿,使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中,因为击穿时局部发热严重,较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。


陶瓷电容常规是使用银电极,银离子迁移由此而导致含钛陶瓷介质的老化加快是陶瓷电容器失效的主要因素。有些厂家生产陶瓷电容器已经不用银电极,而换成镍电极了,在陶瓷片上采用化学镀镍的材料。由于镍的化学稳定性比银好,电迁移率低,从而提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。


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