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薄膜电容CBB21-250V-225J

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产品用途及特点:

广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中,无感结构,损耗少,内部温升小,可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHZ,容量变化少,负温度系数

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CBB21-250V-225J
  • 【所属分类】CBB21薄膜电容
  • 【本体高度】29mm
  • 【电容量】2.2μF
  • 【本体厚度】22mm
  • 【容量编号】225
  • 【本体宽度】12mm
  • 【主要材料】金属化聚丙烯
  • 【额定电压】250VDC
  • 【引线间距】25mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】J(±5%)
  • 【引线直径】0.8mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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电容器是比较复杂的元器件,所以外行人购买的电容经常会被不正规厂家偷工减料。瓷谷电子为了让大家留点心眼,前面资讯有科普许多过许多电容的基本常识,今天小编就再深入介绍下电容器中的损耗因数。

电容器中的等效串联电阻,等效串联电感,泄漏电阻这三个指标是很分离但又很难区分。所以许多电子电容公司,厂家都将它们统一成称为损耗因数,简称DF。是用来区分电容器的无效程度。损耗因数是电容周期的损耗能量和储存能量之和。损耗因数等于介质的功率因数或相角的余弦值。电容器在高频损耗可化简为串联电阻模型,所以等效串联电阻和总容抗之比对损耗因数就比较好估算,即DF≈ωR ESRC。


损耗因数可以理解为Q值的倒数或电容器的品质因数,电容厂家的产品中,也会给出这些指示,介质吸收,RDA,CDA:陶瓷电容器就很适合用在高频去耦,如果考虑到它的吸收问题,陶瓷电容器就不适于采用保持放大中的电容器。介质吸收是一种有滞后性质的内部电荷分布,使它快速放电后开路的电容器回复部分电荷,因为恢复电荷的数量是原来电荷的函数,实际上这是一种电荷记忆效应。如果把这种电容器用作采样保持放大器中的保持电容器,那么势必对测量结果产生误差。对于这种类型应用推荐的电容器,这类电容器介质吸收率很低


,是X2安规电容,即聚丙烯薄膜电容器、聚乙酯薄膜电容器。

品质是企业生命线,是奠定企业竞争力法宝之一。电容是我们息息相关电子设备必用的元器件之一,也就是有电子设备地方,就有我们瓷谷生产制造的安规电容,它肩负瓷谷每位同仁对科技的贡献。


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