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薄膜电容CBB21-100V-563J

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产品用途及特点:

广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中,无感结构,损耗少,内部温升小,可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHZ,容量变化少,负温度系数

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CBB21-100V-563J
  • 【所属分类】CBB21薄膜电容
  • 【本体高度】10mm
  • 【电容量】0.056μF
  • 【本体厚度】9mm
  • 【容量编号】563
  • 【本体宽度】6mm
  • 【主要材料】金属化聚丙烯
  • 【额定电压】100VDC
  • 【引线间距】7.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】J(±5%)
  • 【引线直径】0.6mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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推荐阅读 / Product Details


瓷片电容以陶瓷材料为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器,外壳是陶瓷的,用来绝缘。又称圆片瓷介电容。


瓷片电容主要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,其中最典型作用就是可以消除高频干扰。


瓷片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在着对应关系,主要分为三大类别:


一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器,其温度系数为±30ppm/℃,瓷片电容量非常稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,主要应用于高频电子线路,如振荡计时电路等;其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时,可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。


二、是以X7R为II类介质的中频瓷片电容器,其温度系数为±15电容量相对稳定适用于各种旁路、耦合、滤波电路等,其容量精度主要为K档(±10%)。


三、是以Y5V为II类介质的低频电容器,其温度系数为:(+30-80),电容量受温度、电压、时间变化较大,一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度主要为Z档(+80-20),也可选择±20精度的产品。


不同品种的瓷片电容器,最高使用频率不同。圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。


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