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高压瓷片电容CT81-2KV-Y5U-472M

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产品用途及特点:

用于高压旁路和耦合电路中,耐直流高压与较低的介质损耗等特点。

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CT81-2KV-Y5U-472M
  • 【所属分类】CT81电容
  • 【本体高度】10.5mm
  • 【电容量】4700pF
  • 【本体厚度】3.5mm
  • 【容量编号】472M
  • 【本体宽度】13mm
  • 【主要材料】Y5U
  • 【额定电压】2KVDC
  • 【引线间距】7.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】M(±20%)
  • 【引线直径】0.55mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
如需了解其它参数请通过右侧电话或者微信 QQ咨询

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新时代发展到现在,越来越多的新事物出现,我们从最初不认识到慢慢熟知新事物的转变过程中,往往会忽略最初,这种新事物是如何而来,那么今天就让瓷谷电子小编我,好好带大家重新了解一下“瓷片电容技术参数”,深入了解和探究一些,鲜少为人所知道的事情!

瓷片电容技术参数的发展历程:


1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ;


30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容 ;


1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。


1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。


1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点。


现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。


因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容 相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。


由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。

瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容 到大型的功率瓷片电容。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容 ;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容 ;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。


瓷片电容的分类:


瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数。


Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠ ceramic capacitor),过去称高频瓷片电容技术参数 (High-freqency ceramic capacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容 。它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。


Ⅱ类瓷片电容技术参数(Class Ⅱ ceramic capacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数 (Low frequency cermic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容 ,因此也称铁电瓷片电容技术参数 。这类电容 的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。


常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有: X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U


其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;


X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;


Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%。


Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%。


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