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高压瓷片电容CT81-1KV-Y5P-102K

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产品用途及特点:

用于高压旁路和耦合电路中,耐直流高压与较低的介质损耗等特点。

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CT81-1KV-Y5P-102K
  • 【所属分类】CT81电容
  • 【本体高度】7.5mm
  • 【电容量】1000pF
  • 【本体厚度】3mm
  • 【容量编号】102K
  • 【本体宽度】9.5mm
  • 【主要材料】Y5P
  • 【额定电压】1KVDC
  • 【引线间距】5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】K(±10%)
  • 【引线直径】0.5mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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X2电容,也叫安规电容,又叫薄膜电容。主要用于电源输入的L/N跨接进行EMI抑制用,和输入口并联使用,优点如下:


1.这种电容非常稳定,随着时间和稳度的变化很小,所以输入不容易受到环境因素影响。


2.和其他的类型的陶瓷电容器不同,薄膜电容器的容值受电压的影响小。一个X7R的陶瓷电容在0V和50%的应用电压的时候,容值变化达到40%。


3.和大多数类型的电容不同,薄膜电容的耗散因子非常低。这就意味着在AC电流流过薄膜电容的时候产生的热量很少。X7R电容把流过其电流的10%转化为热量,而薄膜电容的却小于0。1%。

安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全. 它包括X电容各Y电容两种类型,x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容,因为金属化薄膜电容器,体积较大,但其允许瞬间充放电的电流也很大,而其内阻相应较小。普通电容纹波电流的指标都很低,动态内阻较高。用普通电容代替X电容,除了电容耐压无法满足标准之外,纹波电流指标也难以符合要求。金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等,除了卷绕型之外,也有叠层型。金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的我我复原作用(Self Healing Action),即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时,引起短路部份周围的电极金属,会因当时电容器所带的静电能量或短路电流,而引发更大面积的溶 融和蒸发而恢复绝缘,使电容器再度回复电容器的作用;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,一般X电容是uF级,Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。


安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级(IEC664)


X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ


X2 ≤2.5kV Ⅱ


X3 ≤1.2kV ——


安规电容安全等级 绝缘类型 额定电压范围


Y1 双重绝缘或加强绝缘 ≥ 250V


Y2 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V


Y3 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V


Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V


x2电容是接在零线火线之间的主要作用是抑制差模干扰和共模干扰。

x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现.基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,一般X电容是uF级,Y电容是nF级.X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰.


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