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高压瓷片电容CT81-4KV-Y5V-332M

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产品用途及特点:

用于高压旁路和耦合电路中,耐直流高压与较低的介质损耗等特点。

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CT81-4KV-Y5V-332M
  • 【所属分类】CT81电容
  • 【本体高度】8.5mm
  • 【电容量】3300pF
  • 【本体厚度】4mm
  • 【容量编号】332M
  • 【本体宽度】11.5mm
  • 【主要材料】Y5V
  • 【额定电压】4KVDC
  • 【引线间距】7.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】M(±20%)
  • 【引线直径】0.55mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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因为陶瓷电容稳定,绝缘性好,耐高压,且价格相对地便宜,所以在电子元器件市场中中占不少份额,其外观呈蓝色居多,随着电子技术不断地升级进步,瓷片电容在发展有长足的发展,并可广泛地应用。

其陶瓷电容环境条件对测量结果的影响:依照载体区别可分为类I瓷介电容和II类瓷介电容,一贯NP0,SL0,COG是I类瓷介电容,X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容,在不同的作工温度情况下,电荷储藏会有相对明显地改变,在差异的工作温度下,电容标称容量与实质容值界限的不同。比如在50℃时的测试容量和30℃时的测试容量有差异。所以我们不难看出,在内外环境温度相比高的状况下,电容的容值测量结果就会明显偏低。因此小编提倡放置在25℃的条件下,10-30分钟时间,让原料居于稳固的测试环境下再来容值测量。


陶瓷电容材料退化的基本现象:原料退化是指电容器的容值范围因时间下降的形势,这再全部以瓷系材料做绝缘体的材料物品中都有产生,是一种自然但避免不了的形势。因由是由于内部晶体形态随温度和时间导致了变化让其容值降低,归属可逆原理。

当对退化的原料提供超出材料居里点期间中,当环境温度复原到室温后,原料的分子组织就折回最初的形态。材料就会开始老化的不断循环,陶瓷电容的容值将回复到正常标准中。

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