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薄膜电容CBB21-250V-823J

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产品用途及特点:

广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中,无感结构,损耗少,内部温升小,可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHZ,容量变化少,负温度系数

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CBB21-250V-823J
  • 【所属分类】CBB21电容
  • 【本体高度】10mm
  • 【电容量】0.082μF
  • 【本体厚度】10mm
  • 【容量编号】823
  • 【本体宽度】6mm
  • 【主要材料】金属化聚丙烯
  • 【额定电压】250VDC
  • 【引线间距】7.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】J(±5%)
  • 【引线直径】0.6mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造成的电容器,广泛被运用的同时也有被反映有损坏的想象发生,这些损坏包括可自愈损坏和不可自愈损坏。


薄膜电容器由于原材料及制造工艺等原因,早期损坏多由于制造原因。因为在制造过程中介质中可能存在杂质,机械损伤、针孔、清洁度低等问题,会引起的过电压,过电流及周围高、低温度的问题,这些问题便会导致薄膜电容薄弱点介质击穿。击穿时通常会产生火花,进一步的扩大范围,从而形成多层短路甚至整个元件短路。


与击穿元件串联的元件上的电压将会随之升高,从而使剩余的组上的电压随之升高,通过每个元件的电流也随之增大。这一系列的反应将导致各个元件的迅速老化,增加发热量。同时在较高电压作用下也将产生板边缘的局部放电。经过一定时间后,与故障元件串联的整个组的薄膜电容会相继击穿,又会有新的组被连接。组数进一步减少,元件电压进一步提高,过电流现象更为严重,介质进一步恶化,温度进一步升高,电弧会进而增大,如此下去,元件损坏越来越多,箱壳膨胀越来越严重。


薄膜电容器的厚度,也会影响着电容器的自愈性能。金属膜越薄,其自愈性能就越强,但与喷金层的结合就越脆弱。如果需要薄膜电容器具有良好的自愈性能,又要有足够的厚度以提高喷金强度,那么可以使用一种边缘加厚的薄膜电容,这种具有边缘加厚的金属化膜绕制芯子经得起浪涌电流的冲击,工作可靠性高,自愈性能好,使用寿命长,其理论寿命可达百年之久。


随着工艺的进步,薄膜电容器出现的质量问题已经越来越少了,但请记得要选择正规的生产厂家哦。

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